NWネットワークスペシャリスト試験 午前Ⅱ

平成29年度秋期 ネットワークスペシャリスト 午前Ⅱ 問22

問題文と選択肢を読んで答えを考えてから、下の「正解と解説を見る」で確認しましょう。

問題

MLC(Multi-Level Cell)フラッシュメモリの特徴として,適切なものはどれか。

選択肢

  1. ア
    コンデンサに蓄えた電荷を用いて,データを記憶する。
  2. イ
    電気抵抗の値を用いて,データを記憶する。
  3. ウ
    一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶する。
  4. エ
    フリップフロップを利用して,データを記憶する。
解き方のヒントを見る

記憶方式の特徴を整理する視点

用語から連想だけで判断せず、問題が比較させている一つの観点を先に見定め、その観点に関係する説明だけを選択肢ごとに照合して整理しましょう。周辺知識を広げすぎず、設問の軸を保って読み進めることが大切です。

この問題で問われていること

方式名そのものの印象ではなく、設問が尋ねている性質を一つの比較軸として捉え、各選択肢がその軸について述べているかを同じ基準で読み比べることに集中します。

視点

用語を単独で暗記するのではなく、設問が示す比較の観点を一つに絞り、各説明がその観点と対応しているかを落ち着いて整理します。

確認ポイント

  • 設問が中心に置いている比較の観点を一つだけ言い換える。
  • 各選択肢の説明が、その観点について述べられているかを確認する。
  • 用語の印象や周辺知識を足さず、文中の関係だけを照合する。
正解と解説を見る

正解

ウ

解説

MLCは、一つのメモリセルに複数の電圧状態を持たせ、複数ビットのデータを記憶するフラッシュメモリの方式です。

理由

MLCはMulti-Level Cellの略で、一つのメモリセルを複数の状態として扱うことで、1セルに2ビット以上のデータを記憶する方式です。

比較

コンデンサを使う方式、電気抵抗を使う方式、フリップフロップを使う方式は、それぞれ別の記憶素子やメモリの説明であり、MLCフラッシュメモリの特徴を直接示していない。

選択肢ア

これは不正解だよ。コンデンサに蓄えた電荷を利用する記憶方式は、代表的にはDRAMの説明である。MLCフラッシュメモリの特徴は、コンデンサを使うことではなく、一つのメモリセルを複数の状態として扱い、記憶容量を増やす点にある。

選択肢イ

これは不正解だよ。電気抵抗の値を利用してデータを記憶するという説明は、抵抗変化型メモリなどの記憶方式に関係する。MLCフラッシュメモリを特徴付けるのは抵抗値ではなく、一つのセルで複数の状態を表現することである。

選択肢ウ(正解)

これは正解だよ。MLCはMulti-Level Cellの略で、一つのメモリセルに複数の状態を持たせる方式である。そのため、1セル当たり2ビット以上のデータを記憶できる。これはMLCフラッシュメモリの名称と方式に一致する。

選択肢エ

これは不正解だよ。フリップフロップを利用してデータを記憶するのは、代表的にはSRAMの説明である。MLCフラッシュメモリはフリップフロップを用いることが特徴ではなく、一つのセルに複数ビットを記憶する方式である。

学習のポイント

メモリセル当たりの記憶ビット数と記憶方式の対応を整理する。

出典:独立行政法人 情報処理推進機構(IPA)平成29年度秋期 ネットワークスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問22(公式資料:問題冊子(PDF) / 解答例)

関連する過去問一覧

IPA Advancedは非公式の学習サイトです。解説にはAIによる補助生成を含む場合があります。公式の問題冊子・解答例・採点講評を優先し、誤りは確認後に訂正します。運営・編集方針